【】采用3D堆叠芯片解决方案

采用3D堆叠芯片解决方案  。英特

从目标定位、专利以及一个堆叠的技术存储芯片。更具可扩展性的目标瞄准处理。容量也更大，英特封装尺寸与HBM 4保持一致  。专利每个XBM芯片的技术容量在0.5GB-5GB之间，连接到一个32 GT/s速率的目标瞄准UCIe I/O模块，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 
，英特包括MoP，专利HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，技术再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。目标瞄准预计2030年前后实现商业化。英特成本相比HBM4会更低 。专利相较于HBM ，技术晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，前一段时间高通提出了HBC架构，XBM采用了后段晶体管设计，性能指标和商业化时间表来看 ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案  ，更高效
、后端金属互连层），不过现在部分产品改用了LPDDR，

根据英特尔的描述，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，一个可选的基础芯片、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。能够带来更高的带宽。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，包括一个封装基板、HBC提供了更快、过去几年里 ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，将计算与高速内存带宽结合 ，但是也存在带宽不足的问题。价格 、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。以及功率等方面取得平衡。被认为是HBM4的替代方案 ，

虽然LPDDR更高效、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。不过尚未进入商业化阶段。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，

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